تارگت آلیاژی نیکل وانادیوم (NiV)

توضیحات

فرآیند تولید تارگت اسپاترینگ آلیاژ نیکل-وانادیوم (NiV) و کاربردهای آن در صنعت مدارهای مجتمع

فرآیند تولید تارگت اسپاترینگ نیکل-وانادیوم

1. آماده‌سازی مواد اولیه
2. ذوب القایی در خلأ
3. آنالیز شیمیایی
4. فورجینگ
5. نورد
6. آنیلینگ
7. بازرسی متالوگرافی
8. ماشین‌کاری
9. بازرسی ابعادی
10. تمیزکاری
11. بازرسی نهایی
12. بسته‌بندی

کاربردهای تارگت اسپاترینگ نیکل-وانادیوم در ساخت مدارهای مجتمع
در ساخت مدارهای مجتمع، فلز طلا به‌عنوان رسانای بین‌مداری روی ویفر سیلیکونی استفاده می‌شود. اما طلا به داخل ویفر سیلیکونی نفوذ کرده و ترکیب AuSi با مقاومت بالا تشکیل می‌دهد که باعث کاهش چگالی جریان در سیم‌کشی و در نهایت خرابی کل سیستم می‌شود.

برای حل این مشکل، یک لایه چسبنده بین فیلم طلایی و ویفر سیلیکونی اضافه می‌شود. این لایه معمولاً از نیکل خالص ساخته می‌شود، اما نفوذ بین لایه نیکل و فیلم طلا نیز رخ می‌دهد، بنابراین یک لایه مانع نیز برای جلوگیری از این نفوذ لازم است.

مزایای استفاده از آلیاژ نیکل-وانادیوم
وانادیوم با نقطه ذوب بالا و چگالی جریان زیاد، به‌عنوان ماده لایه مانع انتخاب می‌شود. در نتیجه، تارگت‌های اسپاترینگ نیکل، وانادیوم و طلا در تولید مدارهای مجتمع مورد استفاده قرار می‌گیرند.

تارگت اسپاترینگ نیکل-وانادیوم با 7% وانادیوم، مزایای هر دو عنصر نیکل و وانادیوم را ترکیب کرده و به‌طور هم‌زمان نقش لایه چسبنده و لایه مانع را ایفا می‌کند. این آلیاژ غیرمغناطیسی است که برای اسپاترینگ مگنترون مناسب است و در صنعت الکترونیک و اطلاعات، به‌تدریج جایگزین تارگت‌های اسپاترینگ نیکل خالص شده است.

تصاویر میکروساختاری تارگت اسپاترینگ NiV (93/7 wt%)
در تصویر زیر میکروساختار تارگت اسپاترینگ آلیاژ NiV نشان داده شده است که میانگین اندازه دانه‌ها کمتر از 100 میکرومتر است.