ویفر اکسید سیلیکونی
ویژگی ها:
قطر ویفر: ۴ اینچ
ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
روش رشد: CZ
جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100
یکرو سابیده شده: SSP ( Single Side Polished )
مقاومت ویژه ۱-۱۰ ohm.cm
ضخامت ویفر سیلیکونی : ۵۰۰ میکرومتر
تغییرات کلی ضخامت ویفر(TTV): کمتر از ۵ um
درجه خلوص ویفر: Prime Grade (بالاترین گرید موجود در بازار)
میزان اکسیژن موجود داخل سیلیکون(منظور لایه اکسید نمی باشد):
۱۰-۲۰ ppm.A
میزان کربن موجود داخل سیلیکون: ۰٫۵-۱ ppm.A
میزان پستی و بلندی سطح(roughness) : کمتر از ۲ آنگستروم
مناسب برای ساخت ادوات الکترونیکی