پنس فلزی مدل SA-7
430.000 ریالپنس وسیله مناسبی برای جابجا کردن نمونه های آزمایشگاهی و قطعات ریز الکترونیکی بدون برخورد مستقیم دست به آن ها می باشد. در برخی از کارهای آزمایشگاهی نیازمند پنس هایی هستیم که نوک آنها دقت مناسبی داشته باشند تا…
نوک تیز سرکج
پنس فلزی مدل SA-5
460.000 ریالپنس وسیله مناسبی برای جابجا کردن نمونه های آزمایشگاهی و قطعات ریز الکترونیکی بدون برخورد مستقیم دست به آن ها می باشد. در برخی از کارهای آزمایشگاهی نیازمند پنس هایی هستیم که نوک آنها دقت مناسبی داشته باشند تا…
نوک تیز
تارگت اکسید مس (CuO Target)
ضخامت ۳ میلیمتر
قطر ۲ اینچ
خلوص ۹۹.۹۹%
به همراه Back plate + indium Bonded
تارگت اکسید روی (ZnO Target)
ضخامت ۳ میلیمتر
قطر ۲ اینچ
خلوص ۹۹.۹۹%
به همراه Back plate + indium Bonded
تارگت دی اکسید تیتانیوم ( TiO2 Target)
ضخامت ۳ میلیمتر
قطر ۲ اینچ
خلوص ۹۹.۹۹%
به همراه Back plate + indium Bonded
تارگت دی اکسید قلع (SnO2 Target)
ضخامت ۳ میلیمتر
قطر ۲ اینچ
خلوص ۹۹.۹۹%
به همراه Back plate + indium Bonded
تارگت طلا
تارگت طلا
بدلیل قیمت بالا سفارشی عرضه می شود
لطفا جهت سفارش و مشخص کردن رو خلوص ، قطر و ضخامت تماس بگیرید
HOPG (Highly oriented pyrolytic graphite)
ابعاد کریستال: ۱.۲ سانتی متر مربع و ضخامت ۲ میلیمتر
ساختار کریستالی: هگزاگونال
ویژگی الکتریکی: رسانا
مدل: سنتز شده
خلوص: ۹۹.۹۹۵ %
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود.
Natural graphite
ابعاد کریستال: ۱ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
ویژگی الکتریکی: رسانا
مدل : طبیعی
خلوص: ۹۹.۹۸%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود.
NbSe2 (2H Niobium Diselenide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : طبیعی
ویژگی الکتریکی: رسانا و ابر رسانا
خلوص: ۹۹.۹۸%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. دمای گذار این ابر رسانا ۷.۲ کلوین می باشد.
NbS2 (2H Niobium Disulfide)
ابعاد کریستال: ۲ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: رسانا و ابر رسانا
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. دمای گذار این ابر رسانا ۶ کلوین می باشد.
Hexagonal Boron Nitride (h-BN)
ا بعاد کریستال: ۱ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: عایق و نیمه رسانا
خلوص: Grade A
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. در واقع بورن نایتراید نیمه هادی با گاف انرژی مستقیم و به اندازه تقریبا ev 5.9 می باشد که در بسیاری از تحقیقات به عنوان یک عایق مورد استفاده قرار میگرید.
GeSe (Germanium Selenide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. در واقع ژرمانیم سلناید نیمه هادی با گاف انرژی غیرمستقیم و به اندازه تقریبا ev 1.1 می باشد.
GeS (Germanium sulfide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
Black Phosphorus
ا بعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
