ویفر اکسید

ویژگی ها:

قطر ویفر:                                                                          ۴ اینچ

ضخامت اکسید:                                                           ۳۰۰ نانومتر

نوع سیلیکون اکسید شده:                                 P-type ( Boron Doped)

روش رشد:                                                                             CZ

جهت گیری صفحات سیلیکون:                                                > <100