ویفر اکسید سیلیکونی ۴ اینچی

ویفر اکسید سیلیکونی

ویژگی ها:

• قطر ویفر:                                                                             ۴ اینچ
• ضخامت اکسید:                                                                     ۳۰۰ نانومتر
• نوع سیلیکون اکسید شده:                                                     P-type ( Boron Doped)
• روش رشد:                                                                             CZ
• جهت گیری صفحات سیلیکون:                                                  > <100
• یکرو سابیده شده:                                                                    SSP ( Single Side Polished )
• مقاومت ویژه                                                                            ۱-۱۰ ohm.cm
• ضخامت ویفر سیلیکونی :                                                         ۵۰۰ میکرومتر
• تغییرات کلی ضخامت ویفر(TTV):                                                  کمتر از  ۵ um
• درجه خلوص ویفر:                                                                      Prime Grade (بالاترین گرید موجود در بازار)
• میزان اکسیژن موجود داخل سیلیکون(منظور لایه اکسید نمی باشد):    ۱۰-۲۰ ppm.A
• میزان کربن موجود داخل سیلیکون:                                                ۰٫۵-۱ ppm.A
• میزان پستی و بلندی سطح(roughness) :                                     کمتر از ۲ آنگستروم

مناسب برای ساخت ادوات الکترونیکی