عدم موجودی
ویفر اکسید سیلیکونی ۴ اینچی
3.700.000 ریال
ویژگی ها:
قطر ویفر: ۴ اینچ
ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
روش رشد: CZ
جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100
ناموجود
12
افرادی که اکنون این محصول را تماشا می کنند!
توضیحات
توضیحات
ویفر اکسید سیلیکونی
ویژگی ها:
- قطر ویفر: ۴ اینچ
- ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
- نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
- روش رشد: CZ
- جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100
- یکرو سابیده شده: SSP ( Single Side Polished )
- مقاومت ویژه ۱-۱۰ ohm.cm
- ضخامت ویفر سیلیکونی : ۵۰۰ میکرومتر
- تغییرات کلی ضخامت ویفر(TTV): کمتر از ۵ um
- درجه خلوص ویفر: Prime Grade (بالاترین گرید موجود در بازار)
- میزان اکسیژن موجود داخل سیلیکون(منظور لایه اکسید نمی باشد): ۱۰-۲۰ ppm.A
- میزان کربن موجود داخل سیلیکون: ۰٫۵-۱ ppm.A
- میزان پستی و بلندی سطح(roughness) : کمتر از ۲ آنگستروم
مناسب برای ساخت ادوات الکترونیکی
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.