توضیحات

تامین تارگت دی اکسید قلع (SnO2 Target) در ابعاد و اشکال مختلف

1. ضخامت ۳ میلیمتر
2. قطر ۲ اینچ
3. خلوص ۹۹.۹۹%

به همراه Back plate + indium Bonded

برای ایجاد اتصال الکتریکی مناسب بین منبع تغذیه با تارگت و همچنین خنک سازی تارگت اسپاترینگ از فلزاتی مانند مس استفاده می شود که به آن Back Plate میگویند و برای اینکه خود تارگت به صفحه مسی خوب اتصال داشته باشد، تارگت و صفحه مسی را به کمک فلز ایندیوم به یکدیگر می چسبانند.

تارگت دی اکسید قلع SnO2: کلید ساخت لایه‌های نازک پیشرفته

تارگت دی اکسید قلع (SnO2) با خلوص 99.99%، قطر 3 اینچ و ضخامت 0.125 اینچ، نقش مهمی در فرآیند پاشش مغناطیسی (اسپاترینگ) ایفا می‌کند.

اسپاترینگ یک فناوری اثبات شده است که قادر است لایه‌های نازک را از طیف وسیعی از مواد بر روی سطوح با اشکال و اندازه‌های مختلف رسوب دهد.

• قابلیت تکرارپذیری: فرآیند پاشش با استفاده از تارگت‌های دی اکسید قلع قابل تکرار است و امکان مقیاس‌بندی آن از پروژه‌های کوچک تحقیق و توسعه تا تولید انبوه با سطوح بزرگ‌تر را فراهم می‌کند.
• کنترل دقیق: پارامترهای مختلف فرآیند، به متخصصان امکان کنترل بالایی بر رشد و ریزساختار لایه نازک رسوب‌دهی شده را می‌دهد.

تارگت‌های دی اکسید قلع کاربردهای گسترده‌ای در صنایع مختلف از جمله:

• صنعت نیمه‌رسانا: برای تولید لایه‌های نازک رسانا و شفاف در ترانزیستورهای نازک‌فیلم (TFT) و نمایشگرهای کریستال مایع (LCD) به کار می‌رود.
• صنعت انرژی خورشیدی: برای تولید سلول‌های خورشیدی با بازده بالا به کار می‌رود.
• صنعت اپتیک: برای تولید پوشش‌های ضد انعکاس و رسانا در لنزها و آینه‌ها به کار می‌رود.
• صنعت حسگرها: برای ساخت حسگرهای گاز و سایر حسگرهای پیشرفته به کار می‌رود.
• تحقیقات علمی: برای تولید و آنالیز مواد جدید در حوزه‌های مختلف از جمله نانوتکنولوژی به کار می‌رود.

نحوه‌ی عملکرد اسپاترینگ با تارگت دی اکسید قلع SnO2:

در فرآیند اسپاترینگ، ذرات باردار (یون‌ها) به سمت سطح تارگت شتاب داده می‌شوند.

این بمباران یونی باعث فرسایش اتم‌های سطحی تارگت شده و این اتم‌ها به سمت سطح مورد نظر (Substrate) حرکت می‌کنند و روی آن رسوب می‌کنند.

با کنترل پارامترهایی مانند فشار خلأ، قدرت و نوع گاز، می‌توان ضخامت، چگالی و خواص لایه نازک رسوب‌دهی شده را کنترل کرد.

Tin Oxide (SnO2) Sputtering Targets

Purity: 99.99%, Size: 3”, Thickness: 0.125”

Sputtering is a proven technology capable of depositing thin films from a wide variety of materials on to diverse substrate shapes and sizes.

The process with sputter targets is repeatable and can be scaled up from small research and development projects. The proses with sputter

targets can be adapted to the production batches involving medium to large substrate areas. The chemical reaction can occur on the target

surface, in-flight or on the substrate depending on the process parameters. The many parameters make sputter deposition a complex process

but allow experts a large degree of control over the growth and microstructure of the area.

Applications of Sputtering Targets;

• Sputtering targets is used for film deposition. The deposition made by sputter targets is a method of depositing thin films by sputtering

        that involves eroding material from a “target” source onto a “substrate” such as  a silicon wafer.

• Semiconductor sputtering targets is used to etch the target. Sputter etching is chosen in cases where a high degree of etching anisotropy

        is needed and selectivity is not a concern.

• Sputter targets is also used for analysis by etching away the target material.

One of the example occurs in secondary ion spectroscopy (SIMS), where the target sample is sputtered at a constant rate. As the target is sputtered,

the concentration and identity of sputtered atoms are measured using mass spectrometry. By helping of the sputtering target, the composition of the

target material can be determined and even extremely low concentrations of impurities are detected.