ویفر اکسید سیلیکونی
ویفر اکسید سیلیکونی ۴ اینچی
3.700.000 ریالویژگی ها:
قطر ویفر: ۴ اینچ
ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
روش رشد: CZ
جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100
ویژگی ها:
قطر ویفر: ۴ اینچ
ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
روش رشد: CZ
جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100