در حال نمایش 11 نتیجه

ویفر سیلیکونی نوع P

16.000.000 ریال
type

P

Dopant

N

Resistivity

<0.05ohm.cm

Oxide Layer Thickness

100um

TTV

<10um

پوشش

لایه اکسید SiO2

قطر

2 inch

ضخامت

275~280um

شکل

دایره ای

ویفر سیلیکونی نوع n

2.200.000 ریال3.950.000 ریال
انتخاب گزینه‌ها این محصول دارای انواع مختلفی می باشد. گزینه ها ممکن است در صفحه محصول انتخاب شوند
type

N

Dopant

فسفر

Grade

Dummy

,

Prime

Resistivity

0.001-0.01 ohm-cm

جهت گیری کریستالی

1 1 1

قطر

2 inch

,

4 inch

ضخامت

525μm

شکل

دایره ای

پوشش

,

پشت سیلیکون دارای لایه اکسید

ویفر سیلیکونی نوع intrinsic

12.500.000 ریال
type

intrinsic

Grade

Prime

Resistivity

>5000 ohm-cm

قطر

4 inch

ضخامت

525μm

پوشش

,

پشت سیلیکون دارای لایه اکسید

شکل

دایره ای

ویفر اکسید سیلیکون

180.000 ریال360.000 ریال
انتخاب گزینه‌ها این محصول دارای انواع مختلفی می باشد. گزینه ها ممکن است در صفحه محصول انتخاب شوند
با-شرایط

بدون شستشو

,

شستشو شده

ویفر سیلیکونی نوع n – Prime

3.950.000 ریال
type

N

Dopant

فسفر

Grade

فسفر

,
Resistivity

0.001-0.01 ohm-cm

جهت گیری کریستالی
قطر ,
ضخامت
شکل
پوشش ,

ویفر سیلیکونی نوع n – Dummy

2.200.000 ریال
type

N

Dopant

فسفر

Grade

فسفر

,
Resistivity

0.001-0.01 ohm-cm

جهت گیری کریستالی
قطر ,
ضخامت
شکل
پوشش ,