ویفر اکسید سیلیکونی ۴ اینچی
3.700.000 ریالویژگی ها:
قطر ویفر: ۴ اینچ
ضخامت اکسید: ۳۰۰ نانومتر
نوع سیلیکون اکسید شده: P-type ( Boron Doped)
روش رشد: CZ
جهت گیری صفحات سیلیکون: > <100
مشخصه یاب الکتریکی
- دستگاه مشخصه یابی
- دستگاه پراب استیشن
- اندازه گیری بار الکتریکی سلول های خورشیدی
- اندازه گیری جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز سلول های خورشیدی
- اندازه گیری و محاسبه راندمان سلول های خورشیدی
لیتوگرافی کاهنده ماسک
لیتوگرافی کاهنده ماسک فرآیندی است که طی آن طرح و الگوی دلخواه را با دقت بالا بر روی سطح مورد نظر ایجاد می کنند .
دسترسی به دقتهای بالا ، ورود به دنیای میکروسکوپی ، سرعت پاسخ دهی بالا، اندازه کوچک قطعات و هزینه پایین از جمله ویژگی های این روش می باشند.
پراب استیشن
ابزاری مکانیکی است برای برقراری اتصال الکتریکی بین نمونه با واسل اندازه گیری.
در واقع برای تست و اندازه گیری بسیاری از وسابل الکتریکی مانند نمونه های لیتوگرافی شده ، chipset ها ، سنسورها و … نیازمند یک اتصال بسیار دقیق و حساس می باشد.
پروفایلومتر raga step
عملکرد سیستم پروفایلومتر با سه مولفه اساسی مشخصه یابی میشود: تکرار پذیری اندازه گیری، زمان حصول نتیجه و سهولت در استفاده.
این فاکتورها بصورت مستقیم با کیفیت اطلاعات و بازدهی اپراتور ارتباط دارد.
نانوپژوهان راگا با بهره گیری از مهندسی متحول کننده و بهترین کلاس نرمافزار برای دستیابی به این سه مولفه به نهایت کاربری دست یافته.
