تارگت دی اکسید سیلیس (SiO2 Target)

> ابعاد ، شکل تارگت قابل سفارشی سازی می باشد.
> امکان سفارش گذاری تارگت با Cu BackPlate+ indium Bonded وجود دارد . در صورت نیاز به بک پلیت مس با کارشناس فروش در میان بگذارید.
> زمان تحویل در تهران : 5 هفته ( 3هفته ساخت توسط سازنده چینی + 2 هفته تحویل در تهران )

 

قطر

2 inch

ضخامت

3 میلی متر

خلوص

۹۹.۹9% (4N)

زمان تحویل

5 هفته ( سه هفته زمان ساخت + 2 هفته زمان تحویل)

ضمانت بازگشت وجه

ضمانت اصالت کالا

ارسال به تمامی شهر ها

قبول سفارش عمده

18 افرادی که اکنون این محصول را تماشا می کنند!
توضیحات

تارگت دی اکسید سیلیس (SiO2 Target)

  1. ضخامت ۳ میلیمتر
  2. قطر ۲ اینچ
  3. خلوص ۹۹.۹۹%

 

تارگت اسپاترینگ سیلیکون اکسید یکی از محصولات پرکاربرد در فرآیندهای پوشش‌دهی نازک فیلم است که در صنایع مختلف استفاده می‌شود. این تارگت از مواد اولیه با خلوص بالا ساخته شده و به روش پرس گرم تولید می‌شود، که منجر به تارگتی با چگالی بالا و رنگ یکنواخت می‌شود. با این تارگت، کاربران می‌توانند فیلم‌های نازک و همگن با نرخ فرسایش ثابت و کیفیت بالا در فرآیند PVD بدست آورند.

ویژگی‌ها:

  • خلوص: 99.99% و 99.995%
  • روش تولید: پرس گرم، اسپری حرارتی خلاء
  • ابعاد قابل دسترس:
    • تارگت گرد: قطر 3 میلی‌متر
    • تارگت مستطیلی: طول 3 میلی‌متر
    • تارگت دوار: طول 4000 میلی‌متر و ضخامت دیواره 15 میلی‌متر
  • حداقل مقدار سفارش: 1 عدد
  • نوع اتصال: ایندیوم، الاستومر

مزایا:

  • چگالی بالا: >= 5.55 g/cm3
  • رنگ یکنواخت و بدون لکه
  • مناسب برای استفاده در فرآیندهای اسپاترینگ PVD

این محصول به ویژه در صنایع تولید شیشه‌های Low-E، صنایع فوتوولتاییک نازک فیلم و همچنین در تولید پوشش‌های الکترونیکی و اپتیکی کاربرد دارد. با استفاده از تارگت اسپاترینگ سیلیکون اکسید، شما می‌توانید به پوشش‌های نازک با کیفیت و عملکرد بالا دست پیدا کنید.

برای اطلاعات بیشتر و سفارش، با ما در تماس باشید.

 

برای ایجاد اتصال الکتریکی مناسب بین منبع تغذیه با تارگت و همچنین خنک سازی تارگت اسپاترینگ از فلزاتی مانند مس استفاده می شود که به آن Back Plate میگویند و برای اینکه خود تارگت به صفحه مسی خوب اتصال داشته باشد، تارگت و صفحه مسی را به کمک فلز ایندیوم به یکدیگر می چسبانند.

تارگت دی اکسید سیلیکون SiO2: شفافیت در دنیای اسپاترینگ

تارگت دی اکسید سیلیکون (SiO2)، که با نام‌های سیلیس و کوارتز فشرده نیز شناخته می‌شود، نقشی کلیدی در صنعت اپتوالکترونیک و تولید مدارهای مجتمع ایفا می‌کند.

این ماده با فرمول شیمیایی SiO2، نقطه ذوب 1610 درجه سانتی‌گراد، چگالی 2.648 گرم بر سانتی‌متر مکعب و فشار بخار 10-4 Torr در 1025 درجه سانتی‌گراد، در طبیعت به وفور یافت می‌شود و ماده اصلی تشکیل‌دهنده ماسه و کوارتز است.

کاربرد اصلی تارگت دی اکسید سیلیکون در تولید شیشه برای پنجره‌ها و بطری‌های نوشیدنی است. با این حال، این ماده کاربردهای بسیار مهم دیگری نیز دارد.

در خلأ تبخیر می‌شود تا در ساخت دستگاه‌های اپتوالکترونیک و مدارهای مجتمع به کار رود.

مزایای استفاده از تارگت دی اکسید سیلیکون SiO2:

  • شفافیت بالا: تارگت‌های SiO2 شفافیت نوری بی‌نظیری را ارائه می‌دهند که آن‌ها را برای کاربردهای اپتوالکترونیک ایده‌آل می‌کند.
  • پایداری شیمیایی بالا: SiO2 در برابر مواد شیمیایی مختلف مقاوم است و در شرایط محیطی خشن نیز عملکرد پایداری دارد.
  • عایق الکتریکی عالی: SiO2 یک عایق الکتریکی عالی است که آن را برای استفاده در ساخت مدارهای مجتمع مناسب می‌کند.
  • سازگاری با انواع مختلف مواد: SiO2 با طیف وسیعی از مواد، از جمله سیلیکون، فلزات و سرامیک‌ها سازگار است.
  • قیمت مناسب: تارگت‌های SiO2 در مقایسه با سایر تارگت‌های اسپاترینگ، قیمت مقرون به صرفه‌ای دارند.

کاربردهای تارگت دی اکسید سیلیکون SiO2:

  • تولید قطعات اپتوالکترونیک: لنزها، آینه‌ها، فیبرهای نوری و سایر اجزای اپتوالکترونیک با استفاده از تارگت‌های SiO2 ساخته می‌شوند.
  • تولید مدارهای مجتمع: SiO2 به عنوان لایه دی‌الکتریک در ساخت ترانزیستورها، دیودها و سایر اجزای مدارهای مجتمع استفاده می‌شود.
  • پوشش‌های محافظ: SiO2 به عنوان پوشش محافظ برای سطوح مختلف، مانند دیسک‌های سخت و ابزارهای نوری، به کار می‌رود.
  • پژوهش: از تارگت‌های SiO2 در تحقیقات علمی در زمینه‌های مختلف مانند نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته استفاده می‌شود.

انتخاب تارگت دی اکسید سیلیکون SiO2 مناسب:

انتخاب تارگت SiO2 مناسب به عوامل مختلفی مانند نوع پوشش مورد نظر، ضخامت پوشش، دمای فرآیند و نوع بستر بستگی دارد. تنوع گریدهای مختلف تارگت SiO2 با خلوص‌ها و ابعاد مختلف، امکان انتخاب تارگتی ایده‌آل برای هر کاربرد خاص را فراهم می‌کند.

Silicon Dioxide (Fused Quartz) (SiO2) General Information

Silicon dioxide, also known as silica, has a chemical formula of SiO2. It has a melting point of 1,610°C, a density of 2.648 g/cc, and a vapor pressure of 10-4 Torr at 1,025°C. Silicon dioxide is commonly found in nature as sand or quartz. It is primarily used in the production of glass for windows and beverage bottles. It is evaporated under vacuum for the fabrication of optoelectronic and circuit devices.

0 دیدگاه
0
0
0
0
0

نقد و بررسی‌ها

پاک‌کردن فیلترها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “تارگت دی اکسید سیلیس (SiO2 Target)”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *