HOPG (Highly oriented pyrolytic graphite)
ابعاد کریستال: ۱.۲ سانتی متر مربع و ضخامت ۲ میلیمتر
ساختار کریستالی: هگزاگونال
ویژگی الکتریکی: رسانا
مدل: سنتز شده
خلوص: ۹۹.۹۹۵ %
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود.
Natural graphite
ابعاد کریستال: ۱ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
ویژگی الکتریکی: رسانا
مدل : طبیعی
خلوص: ۹۹.۹۸%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود.
NbSe2 (2H Niobium Diselenide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : طبیعی
ویژگی الکتریکی: رسانا و ابر رسانا
خلوص: ۹۹.۹۸%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. دمای گذار این ابر رسانا ۷.۲ کلوین می باشد.
NbS2 (2H Niobium Disulfide)
ابعاد کریستال: ۲ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: رسانا و ابر رسانا
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. دمای گذار این ابر رسانا ۶ کلوین می باشد.
Hexagonal Boron Nitride (h-BN)
ا بعاد کریستال: ۱ میلیمتر
ساختار کریستال : هگزاگونال
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: عایق و نیمه رسانا
خلوص: Grade A
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. در واقع بورن نایتراید نیمه هادی با گاف انرژی مستقیم و به اندازه تقریبا ev 5.9 می باشد که در بسیاری از تحقیقات به عنوان یک عایق مورد استفاده قرار میگرید.
GeSe (Germanium Selenide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
لایه های کریستال توسط نیروی واندروالس به یکدیگر وصل شده اند به نحوی که به روش exfoliation می توان آنها را به صورت ورقه های دو بعدی جدا سازی نمود. در واقع ژرمانیم سلناید نیمه هادی با گاف انرژی غیرمستقیم و به اندازه تقریبا ev 1.1 می باشد.
GeS (Germanium sulfide)
ابعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
Black Phosphorus
ا بعاد کریستال: ۱۰ میلیمتر
ساختار کریستال : ارتورومبیک (Orthorombic)
مدل : سنتز شده
ویژگی الکتریکی: نیمه هادی
خلوص: ۹۹.۹۹۵%
مولیبدن دی سولفید (MoS2)
مولیبدن دی سولفید
یک صفحه ی مولیبدن دی سولفید یا MoS2 ترکیبی متشکل از اتم های Mo و S است که این اتم ها طبق شکل زیر در یک لایه شبه دوبعدی قرار گرفته اند. اتم های مولیبدن و سولفید عملا در یک صفحه قرار نگرفته اند و فاصله عمودی نیم صفحه از هم دارند. در حالت تک لایه هر صفحه دارای مولیبدن در وسط دو صفحه حاوی گوگرد قرار گرفته است.
