در حال نمایش 9 نتیجه

ویفر اکسید سیلیکونی ۴ اینچی

3.700.000 

ویژگی ها:

قطر ویفر:                                                                          ۴ اینچ

ضخامت اکسید:                                                           ۳۰۰ نانومتر

نوع سیلیکون اکسید شده:                                 P-type ( Boron Doped)

روش رشد:                                                                             CZ

جهت گیری صفحات سیلیکون:                                                > <100

ویفر سیلیکونی نوع P

2.200.000 4.400.000 

ساخت چین
یک طرف صیقلی SSP

ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده نیمه‌رسانا مانند بلور سیلیکون می‌گویند که درصد خلوص آن بسیار بالا است. ویفر سیلیکونی مولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است.

ویفر سیلیکونی نوع n

2.200.000 3.950.000 
ویفر سیلیکونی نوع N

ساخت چین
یک طرف صیقلی SSP

ویفر سیلیکونی ۳ اینچی

p-type
dummy Grade

جهت ثبت درخواست خرید ( ویفر سیلیکونی ) بر روی لینک زیر کلیک نمایید.

نبود؟ سفارش بده

ویفر سیلیکونی نوع intrinsic

12.500.000 

<h5>ویفر سیلیکونی نوع P</h5>
ساخت چین
یک طرف صیقلی SSP

ویفر اکسید سیلیکون

180.000 360.000 

ویفر اکسید سیلیکون

ضخامت اکسید ۳۰۰ نانومتر۱cm*1cm

به دوصورت شستشو شده (بدون لکه و کثیفی ) و شستشو نشده توسط ۳etop ارائه می گردد.

 

گرافن بر روی سیلیکون اکساید

4.750.000 

گرافن بر روی سیلیکون اکساید

ساخت شرکت گرافنا

ضخامت ویفر سیلیکونی ۵۰۰ میکرومتر

ضخامت اکسید ۳۰۰ نانومتر

ابعاد: ۱ سانتی متر در ۱ سانتی متر

یک لایه گرافن که به روش CVD سنتز شده بر روی آن انتقال داده شده است.

” این بسته شامل ۴ عدد گرافن بر روی سیلیکون اکساید می باشد که هر عدد به صورت جداگانه با قیمت فوق به فروش می رسد.”

ویفر تک کریستال لیتیوم نایوبیت‌‌‌ (LiNbO3 Single crystal Wafer)

این ویفر در نسل جدید طول­ موج­‌ها و عناصر شکست استفاده می­‌شود و با توجه به خواص زیادی که دارد استفاده‌­های زیادی از آن می­‌شود از جمله: الکترواپتیک و ضرایب اپتیک، ضرایب الکترومکانیکی و شیمیایی بالا و همچنین پایداری مکانیکی خوب.

انواع ویفر سیلیکونی

ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده نیمه‌رسانا مانند بلور سیلیکون می‌گویند که درصد خلوص آن بسیار بالا و نزدیک به ۱۰ درصد است. ویفر سیلیکونی مولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است.

سیلیکون ماده‌ای است از جنس کربن که بعد از اکسیژن، دومین عنصر از نظر میزان فراوانی در زمین است و به طور طبیعی قابل ترکیب نیست. سیلیکون به صورت ترکیب شده با اکسیژن در شن و اغلب سنگ‌ها وجود دارد که سیلیکا (در‌اکسید سیلیسیوم) نام دارد. اگر سیلیکون با عناصری دیگری مثل آهن، آلومینیوم یا پتاسیم ترکیب شود، سیلیکات ایجاد می‌شود. ترکیبات سیلیکونی در اتمسفر، آب‌های معدنی، بسیاری گیاهان و بدن برخی حیوانات وجود دارد.

 

سیلیکون ماده اصلی در ساخت چیپ‌های کامپیوتری، ترانزیستورها، دیودهای سیلیکونی، دیگر مدارهای الکترونیکی و دستگاه‌های سوئیچینگ است چرا که ساختار اتمی آن، این عنصر را برای نیمه‌رسانا، ایده‌آل می‌کند. سیلیکون برای اینکه ویژگی‌های رسانا بودن خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر و آرسنیک ترکیب می‌شود.

اولین بار در سال ۱۸۲۴، شیمی‌دان سوئدی به نام جکاب برزلیوس، سیلیکون را به عنوان یک عنصر معرفی کرد.